采用電壓開關(guān)元件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），具有GTR(大容量晶體管)高功率體積、低飽和電流和耐低壓的特點(diǎn)，以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)電壓的特點(diǎn)。IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用便利，不僅增加了平臺(tái)的體積及其研發(fā)時(shí)間，也大大提高了平臺(tái)的靠譜性，適應(yīng)了現(xiàn)今功率器件的演進(jìn)方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在能源電子領(lǐng)域受到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

IPM由高速、低功耗的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路組成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有二者的特點(diǎn)。IPM根據(jù)外部電壓電路配置的不同可分為四類:H型(外部封裝一個(gè)IGBT)、D型(外部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(外部封裝六個(gè)IGBT)和R型(外部封裝七個(gè)IGBT)。小容量的IPM使用單層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使平臺(tái)軟件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了平臺(tái)研發(fā)時(shí)間，也增加了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比，IPM在平臺(tái)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提升。保護(hù)電路可以推動(dòng)控制電流欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO)。

光電耦合器（opticalcoupler，英文簡(jiǎn)寫為OC）也稱光電隔離器，簡(jiǎn)稱光耦。光電耦合器以光為媒介存儲(chǔ)電信號(hào)。它對(duì)輸入、輸出電信號(hào)有良好的隔離作用，所以，它在各類電路中受到廣泛的應(yīng)用。目前它已變成特點(diǎn)較多、用途較廣的光電器件之一。

推薦一款由工采網(wǎng)代理的來(lái)自臺(tái)灣美祿的光耦合器，光耦-MPH480，該系列快速速度光耦合器包括一個(gè)LED和光學(xué)觀測(cè)器，內(nèi)置施密特觸發(fā)器，以提供邏輯兼容的波形，消除了額外的波整形的還要。圖騰柱輸出防止了對(duì)拉上電阻的必須，并允許直接驅(qū)動(dòng)智能電源組件或門驅(qū)動(dòng)。較小化器件之間的傳播延遲差異使這種光耦器借助減少開關(guān)死時(shí)間來(lái)提升逆變器精度的極好解決方案。

光電耦合器-MPH480的特點(diǎn)：

正輸出類型（圖騰柱輸出）

真值表保證：VCC從4.5V到30V

在工業(yè)溫度范圍內(nèi)為通用IPM應(yīng)用程序指定的性能

較小脈沖寬度失變（PWD）

極高的共模排斥率（CMR）

光耦合器屬光學(xué)元件中之一環(huán)，系一發(fā)光及受光元件的組合體，借由光的傳輸超過(guò)導(dǎo)通的規(guī)定，為一理想的絕緣體，因此在許多電子電器產(chǎn)品上，皆采取此器件成為【高壓隔離】用途。發(fā)光器件通常為發(fā)光二極體，受光器件通常在低階產(chǎn)品為光二級(jí)管/光三級(jí)管/光晶閘管，高階產(chǎn)品為光耦合積體電路。

臺(tái)灣美祿在光耦合器領(lǐng)域頗具建樹，技術(shù)及其產(chǎn)品方面早已很健全，如果想知道更多光耦合器的科技資料，請(qǐng)登錄工采網(wǎng)官方進(jìn)行咨詢。

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